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8 月 19 日，SK 海力士副總裁柳成洙出席在首爾廣津區(qū)華克山莊酒店舉辦的“SK 利川論壇 2024”。在論壇的第二場(chǎng)會(huì)議上，柳成洙公布了 SK 海力士的雄心勃勃的戰(zhàn)略，即開發(fā)一款性能比現(xiàn)有 HBM 高出 30 倍的產(chǎn)品。這一聲明標(biāo)志著該公司在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)中保持領(lǐng)先地位的努力邁出了重大一步。

Ryu 表示:“我們的目標(biāo)是開發(fā)性能比當(dāng)前 HBM 提高 20 到 30 倍的產(chǎn)品，重點(diǎn)是推出差異化產(chǎn)品?！彼麖?qiáng)調(diào)，公司專注于通過先進(jìn)的執(zhí)行能力，以面向 AI 的內(nèi)存解決方案來應(yīng)對(duì)大眾市場(chǎng)。這一戰(zhàn)略至關(guān)重要，因?yàn)樵?AI 技術(shù)的快速發(fā)展推動(dòng)下，對(duì)高性能內(nèi)存的需求不斷增長。

Ryu 強(qiáng)調(diào)，SK Hynix 的 HBM 受到全球公司的高度關(guān)注，尤其是七大科技巨頭，其中包括蘋果、微軟、谷歌 Alphabet、亞馬遜、Nvidia、Meta 和特斯拉等科技巨頭。Ryu 透露:“七大科技巨頭的所有成員，也就是美國大型科技公司，都曾與我們接洽，要求提供定制的 HBM 解決方案?！?/p>

副總裁還分享了他對(duì)滿足這些需求的個(gè)人承諾，他表示:“我整個(gè)周末都在不停地與 M7 公司溝通。內(nèi)部需要大量工程資源來滿足他們的要求，我們正在付出巨大努力來確保這些資源。”這種奉獻(xiàn)精神反映了 SK Hynix 保持其在 HBM 市場(chǎng)領(lǐng)先地位的決心。

SK 海力士目前正在準(zhǔn)備第 6 代 HBM4，這是一種定制 HBM，可滿足客戶的特定需求。這一發(fā)展正值其他大型半導(dǎo)體公司的競(jìng)爭(zhēng)，例如三星電子，該公司也在研發(fā) HBM4，預(yù)計(jì)出貨日期為 2025 年下半年。

針對(duì)“AI泡沫論”，即AI業(yè)務(wù)的盈利能力可能低于最初的預(yù)期，Ryu認(rèn)為HBM等高性能內(nèi)存仍將必不可少。他斷言:“即使GPU公司或其他公司目前引領(lǐng)市場(chǎng)，HBM等高性能內(nèi)存仍將持續(xù)存在需求?！彼M(jìn)一步強(qiáng)調(diào)SK海力士需要?jiǎng)?chuàng)建自己的內(nèi)存半導(dǎo)體規(guī)范，而不是追隨特定公司，并表示:“我們需要?jiǎng)?chuàng)建自己的規(guī)范，而不是追隨特定公司?！?/p>

Ryu 最后強(qiáng)調(diào)了 HBM 范式的重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)以及對(duì)定制產(chǎn)品日益增長的需求?！拔覀冋幱?HBM 范式的重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)，對(duì)定制產(chǎn)品的需求日益增長。我們將抓住這些機(jī)會(huì)，繼續(xù)發(fā)展內(nèi)存業(yè)務(wù)，”他說。

三星預(yù)計(jì)年底前流片12層堆疊HBM4

韓國三星在上個(gè)月成立了新的HBM 開發(fā)團(tuán)隊(duì)，專注在HBM3、HBM3E 和下一代HBM4 的相關(guān)技術(shù)開發(fā)工作，以提高三星在HBM 市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。雖然，三星早在2015 年就在DRAM 部門里組建了專門負(fù)責(zé)HBM 產(chǎn)品開發(fā)的團(tuán)隊(duì)，但在沒有特別重視該產(chǎn)品的情況下，當(dāng)前被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK 海力士給搶了先機(jī)，成為GPU 大廠輝達(dá)的重要供應(yīng)商。因此，三星透過組織架構(gòu)的改組，進(jìn)一步加強(qiáng)的產(chǎn)品發(fā)展，如今似乎有了相關(guān)的進(jìn)展。

根據(jù)韓國媒體The Elec 報(bào)導(dǎo)，三星將在年底前進(jìn)行HBM4 的流片，這是屬于第六代的HBM 產(chǎn)品，此動(dòng)作也被認(rèn)為是為2025 年底進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)前的準(zhǔn)備工作。由于從流片到最終確定試產(chǎn)產(chǎn)品之間，其時(shí)間落差可能在三到四個(gè)月之間。因此，就這樣的時(shí)間來估算，三星的HBM4 產(chǎn)品預(yù)計(jì)最早會(huì)在2025 年初發(fā)布，之后三星將繼續(xù)做改進(jìn)，直到將樣品發(fā)送給主要客戶。

報(bào)導(dǎo)指出，三星目前的12 層堆疊HBM4 打算選擇4 納米技術(shù)來大規(guī)模生產(chǎn)HBM4 的基礎(chǔ)裸片，并采用第六代10 納米等級(jí)的1c 制程技術(shù)來制造DRAM 芯片。雖然，相較于7/8 納米制程技術(shù)，采用4 納米制程技術(shù)來生產(chǎn)基礎(chǔ)裸片的成本要高上許多，但是預(yù)計(jì)帶來更好的芯片性能，同時(shí)能耗方面也有更明顯的優(yōu)勢(shì)。三星目前采用10 納米制程技術(shù)來生產(chǎn)HBM3E 的基礎(chǔ)裸片，而新一代HBM4 上換成4 納米制程技術(shù)將可以增加其在HBM 領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

至于，三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK 海力士則是計(jì)劃2025 年下半年，開始量產(chǎn)12 層堆疊的HBM4 產(chǎn)品，而且將是采用合作伙伴采用臺(tái)積電的N5 和N12 FFC+ 特殊制程技術(shù)所生產(chǎn)的基礎(chǔ)裸片， DRAM 芯片則預(yù)計(jì)在第五代10 納米制程的1b，和第六代的1c 制程技術(shù)之間做選擇。有消息稱，SK 海力士原本更傾向于1b 制程技術(shù)，但隨著三星預(yù)計(jì)采用1c 制程技術(shù)來生產(chǎn)制造DRAM 芯片，內(nèi)部最后有可能將決定追隨三星的做法，換成1c 制程技術(shù)。

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